Николай Александрович Ратахин – известный ученый и организатор науки, специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний вещества. Доктор физико-математических наук (2000). С 2006 года член-корреспондент, с 2016 – академик РАН по отделению физических наук. Автор и соавтор более 300 научных работ, в том числе 128 работ, учтенных в наукометрической системе Scopus.
Николай Александрович родился 24 декабря 1950 года в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области. В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, в 1978 – аспирантуру Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Трудовую деятельность начал стажером-исследователем в отделе сильноточной электроники Института оптики атмосферы СО АН СССР. С 1978 года работает в Институте сильноточной электроники СО РАН, прошел путь от младшего научного сотрудника до директора института. С 1986 года руководил в институте лабораторией, с 1994 по 2021 гг. – отделом высоких плотностей энергии. В настоящее время советник директора Института сильноточной электроники СО РАН, главный научный сотрудник отдела высоких плотностей энергии (по совместительству).
Основное направление научной деятельности Н. А. Ратахина – исследование и разработка эффективных методов компрессии электромагнитной энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение в широком спектральном диапазоне. Он впервые, при участии сотрудников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, выполнил методом лазерного рассеяния прямые измерения характеристик плазмы в сильноточных диодах с взрывной эмиссией электронов. В 2001 году в составе авторского коллектива был удостоен Первой премии Объединенного института ядерных исследований (г. Дубна) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы». Под руководством Н. А. Ратахина разработаны оригинальные наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3, МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире. В уникальной научной установке России МИГ (многоцелевой импульсный генератор) совмещены практически все известные способы формирования мощных электрических импульсов. Установка позволяет получать такие импульсы в широком диапазоне параметров, проводить эксперименты по электродинамическому сжатию и электровзрыву проводников, ускорению плазмы, созданию мультимегагауссных магнитных полей и их воздействию на материалы, формировать сильноточные релятивистские пучки электронов.
Коллективом исследователей, работающих под научным руководством Н. А. Ратахина, получены важные результаты в области физики экстремальных состояний вещества. Показано, что мощность в импульсах мягкого рентгеновского излучения Z-пинчей может превышать выходную электрическую мощность используемого генератора. Разработан источник точечного тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая эффективность генерирования вспышек мягкого рентгеновского излучения с помощью планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей. Мощный импульсный источник нейтронов на основе дейтериевого лайнера с интенсивность 1013 частиц за импульс, реализованный на уникальной научной установке России ГИТ-12, вошел в число важнейших достижений по физике в Сибирском отделении РАН за 2018 год. Среди учеников Николая Александровича пять кандидатов и два доктора наук, в том числе один член-корреспондент РАН.
С 2006 по 2020 гг. Н. А. Ратахин – директор Института сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук. За это время в институте получен ряд крупных научных результатов. Развернуты исследования по генерированию мощных фемтосекундных лазерных импульсов и создана не имеющая мировых аналогов гибридная лазерная система THL-100, на которой получена рекордная мощность УФ излучения 40 ТВт (результат в числе важнейших достижений СО РАН по физике за 2019 год). Впервые в мире разработан метод ударного возбуждения генераторов мощных наносекундных СВЧ-импульсов, позволяющий управлять фазой колебания; на основе нелинейных гиромагнитных линий созданы компактные многоканальные гигаваттные источники СВЧ-импульсов с когерентным сложением полей излучения и электронным сканированием (Премия Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых ученых за 2016 год). Ученые ИСЭ СО РАН были удостоены Общенациональной неправительственной Демидовской премии (2007), международных научных премий У. Дайка (2008) и Э. Маркса (2019), а также Премии Правительства Российской Федерации в области образования (2013), и награждены государственными наградами (2010, 2014, 2015). В институте под руководством Н. А. Ратахина возобновлены в значительных объемах разработки и поставки в российские организации мощной электрофизической техники специального назначения. Выполнен ряд работ в интересах ГК «Росатом». Выполнялось большое число проектов РНФ и РФФИ. С начала 2019 года в институте действуют две новые научные лаборатории, укомплектованные молодежными кадрами.
Н. А. Ратахин – член президиума Сибирского отделения РАН, председатель Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН, член Бюро Отделения физических наук РАН по секции Общей физики. Председатель регулярно проводимого в Томске Международного симпозиума по сильноточной электронике (SHCE) в рамках конгресса «Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE). Осуществляет руководство НИР по тематике государственного задания «Электрофизика импульсных высокоэнергетических воздействий, научно-технические основы создания элементной базы мощных импульсных источников электрической энергии». Результаты по физике экстремальных состояний вещества, полученные в рамках данного проекта, ежегодно направляются в РАН и СО РАН для отбора на доклад Президенту, как важнейшие фундаментальные научные достижения. Н. А. Ратахин был руководителем крупного проекта в рамках реализации Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019–2027 годы по теме «In situ методы синхротронных исследований многослойных функциональных структур с уникальными параметрами и свойствами, созданных пучково-плазменной инженерией поверхности» (2021-2024 гг.), который был реализован ИСЭ СО РАН в консорциуме с ИЯФ СО РАН (г. Новосибирск), УУНиТ (г. Уфа), ИЭФ УрО РАН (г. Екатеринбург), ИФПМ СО РАН (г. Томск), вузами Томска - НИ ТПУ, НИ ТГУ и ТУСУР.
С 2012 по 2015 год Н. А Ратахин был председателем президиума Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук, с июня 2018 года – председатель совета директоров институтов ТНЦ СО РАН. Эта его деятельность значительно способствовала координации научных исследований в академических институтах Томска, налаживанию сотрудничества с другими научными организациями, подведомственными Минобрнауки России.
В течение 11 лет Николай Александрович заведовал в Томском политехническом университете кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники. Благодаря его усилиям к преподавательской деятельности в ТПУ были привлечены ведущие ученые ИСЭ СО РАН. Начиная с 2007 года, кафедра выпустила 120 магистров техники и технологии – высококвалифицированных специалистов в области электроники, техники и физики высоких напряжений, из которых 30 человек получили трудоустройство в Институте сильноточной электроники СО РАН на научных и инженерных должностях. Коллектив кафедры под руководством Н. А. Ратахина трижды входил в число призеров рейтинга выпускающих кафедр ТПУ. Как председатель президиума ТНЦ СО РАН, Николай Александрович оказал большое содействие в укреплении связей между ТПУ и академическими институтами центра. В настоящее время является профессором Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
Н. А. Ратахин был избран депутатом Думы Города Томска VI созыва (с октября 2016 г. по сентябрь 2020 г.), где входил в комитет по бюджету, экономике и собственности и в постоянную комиссию по транспорту. Как депутат, добивался реализации муниципальных программ развития в томском Академгородке, большая часть территории которого находится в федеральной собственности. По его инициативе территория томского Академгородка дважды вошла в городскую программу «От томского двора – до олимпийского пьедестала» с установкой комплексов общефизической подготовки. Николай Александрович регулярно оказывал депутатскую поддержку организациям, действующим в Академгородке: Совету ветеранов, Дому ученых, профсоюзной организации ТНЦ СО РАН, детскому саду, библиотеке, Академэкоцентру. При его поддержке проводились празднования Дня Победы, Дня космонавтики, Дня матери, Дня Академгородка, спортивные соревнования. Депутат Н. А. Ратахин оказывал помощь в приобретении инвентаря и снаряжения ДЮСШ, расположенным в Академгородке.
Н. А. Ратахин отмечен такими наградами, как Орден Трудового Красного Знамени (1990), Почетная грамота РАН и профсоюза работников РАН (1999), Почетная грамота Администрации Томской области (2009), Почетная грамота Администрации Города Томска (2010, 2020), Благодарственное письмо Совета ректоров вузов Томской области (2011), Медаль «За достижения» Томской области (2015), Юбилейная медаль «70 лет Томской области» (2015), Почетная грамота Мэра Города Томска (2016), Памятная серебряная медаль им. академика М.А. Лаврентьева (2017), Почетная грамота Томской области (2017), Медаль «За отличие» (2017), Почетная грамота Думы города Томска (2020), Государственная награда Орден Почета (2023), Почетное звание «Заслуженный деятель науки Сибирского отделения РАН» (2020), Нагрудный знак «Золотая сигма» (2022), Юбилейная медаль "300-лет РАН" (2024).
Поздравить юбиляра можно по электронной почте contact@hcei.ru, na.ratakhin@hcei.ru и по телефону 8 (3822) 492-040 (в рабочее время).
