Institute of High Current Electronics SB RAS

Информация

Устав ИСЭ СО РАН (25/07/2018)

Сведения о результатах деятельности ИСЭ СО РАН для экспертной оценки, размещаемые в соответствии с распоряжением ФАНО России от 25.04.2017 № 111 «О внеочередной оценке результативности деятельности научных организаций, подведомственных Федеральному агентству научных организаций»

НОВОСТИ ИСЭ СО РАН

9 января 2020

Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН
ПОЗДРАВЛЯЕТ

ГРЕНАДЁРОВА Александра Сергеевича

научного сотрудника
лаборатории прикладной электроники
кандидата технических наук

с победой в конкурсе 2020 года
на право получения грантов
Президента Российской Федерации
для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук
по направлению «Переход к передовым цифровым, интеллектуальным производственным технологиям, роботизированным системам, новым материалам и способам конструирования, создание систем обработки больших объемов данных, машинного обучения и искусственного интеллекта»
с темой исследования
«Разработка новых подходов получения биосовместимых, коррозионно- и износостойких кремний-углеродных (a-C:H:SiOx) плёнок для медицинских применений»
28 декабря 2019

Подведены итоги конкурса на замещение должностей заведующего лабораторией, ведущих научных сотрудников, старшего научного сотрудника, научных сотрудников.
Протокол №16 (27 декабря 2019 г.)

Подведены итоги конкурса на замещение должностей младших научных сотрудников.
Протокол №17 (27 декабря 2019 г.)
17 декабря 2019

Объявлен конкурс на замещение должности заместителя директора по научной работе (1,0 ставки).

VAC_57727.pdf (в приложении)

https://ученые-исследователи.рф/vacancies/card/08ca2137-a0c0-771c-d30e-4e0a02a3b9d2

Дата окончания приема заявок от претендентов на участие в конкурсе через портал вакансий
https://ученые-исследователи.рф - 31 января 2020 г.

Дата проведения конкурса 14 февраля 2020 г.,
место проведения город Томск.
16 декабря 2019

Поздравляем призеров конкурса молодых ученых
ИСЭ СО РАН 2019 года!

В номинации научно-исследовательских работ:

I место

БЕЛОПЛОТОВ Дмитрий Викторович
«Наносекундный пробой промежутков остриё – плоскость: стримеры, токи смещения и убегающие электроны»

II места

БУРАЧЕНКО Александр Геннадиевич
«Катодолюминесценция и излучение Вавилова–Черенкова при возбуждении пучком электронов различных энергий»,

СЕМЕНЮК Наталья Степановна
«Динамика пробоя газонаполненной коаксиальной линии в поле бегущей волны, инициируемого убегающими электронами»

III место

ВАНЬКЕВИЧ Владислав Алексеевич
«Электрический взрыв плоских проводников в режиме скинирования тока»

В номинации инженерно-технологических работ:

I место

ГРЕНАДЁРОВ Александр Сергеевич
«Модификация поверхности титана с помощью a-C:H:SiOx плёнок для медицинских применений»

II места

КОНДРАТЬЕВ Сергей Сергеевич
«Электроразрядное разрушение электронных печатных плат»,

ПРОКОПЕНКО Никита Андреевич
«Разработка многослойных нанокристаллических износостойких покрытий, синтезируемых вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом на поверхности твёрдых сплавов»

III место

КИЗИРИДИ Павел Петрович
«Обработка массивных металлических изделий низкоэнергетическим сильноточным электронным пучком»

Желаем дальнейших успехов в научном творчестве!
16 декабря 2019

Совет молодых учёных и специалистов ИСЭ СО РАН поздравляет

ГРЕНАДЁРОВА Александра Сергеевича,

занявшего II место

в ежегодном
Конкурсе докладов ТНЦ СО РАН среди молодых ученых
с работой "Биосовместимые и износостойкие кремний-углеродные пленки для медицинских применений"
(секция на русском языке)
10 декабря 2019

Совет молодых ученых и специалистов поздравляет

ЗЯТИКОВА Илью Александровича

с победой в конкурсе научных докладов
на английском языке
и возможностью представить свой доклад
на конкурсе докладов ТНЦ СО РАН!

Итоги конкурса научных докладов
среди молодых сотрудников ИСЭ СО РАН
(на английском языке)

I место

ЗЯТИКОВ Илья Александрович
Superradiance by molecular nitrogen ions in air filament

II место

ЧАЗОВ Вадим Андреевич
Numerical simulation of coupled electromagnetic wave resonances in oversized sectionalized slow-wave structures

МОЛЧАНОВ Денис Викторович
Efficiency of rock destruction by a pulse generator based on a linear pulse transformer
10 декабря 2019
Уважаемые молодые ученые ТНЦ СО РАН!

13 декабря в 14:00 в Доме ученых ТНЦ СО РАН
(пр. Академический, 5)

состоится традиционный

КОНКУРС ДОКЛАДОВ
МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ТНЦ СО РАН 2019 г.

Номинации:
1. Лучший доклад на английском языке.
2. Лучший доклад на русском языке.
В конкурсе участвуют по два представителя от каждого института ТНЦ для выступления в каждой из номинаций соответственно.

Совет научной молодежи ТНЦ СО РАН

9 декабря 2019

ВНИМАНИЕ КОНКУРС!!!

10 декабря 2019 г. в 10.00 в 408 к. ИСЭ СО РАН
состоится конкурс среди молодых ученых
на лучший доклад на английском языке.

Отведенное для доклада время – 10–12 мин,
время для ответов на вопросы – 3–5 мин.

Список участников
1. Зятиков Илья Александрович (Лаборатория газовых лазеров)
  SUPERRADIANCE BY MOLECULAR NITROGEN IONS IN AIR FILAMENT
2. Молчанов Денис Викторович (Отдел высоких плотностей энергии)
  EFFICIENCY OF ROCK DESTRUCTION BY A PULSE GENERATOR BASED ON A LINEAR PULSE TRANSFORMER
3. Чазов Вадим Андреевич (Лаборатория высокочастотной электроники)
  NUMERICAL SIMULATION OF COUPLED ELECTROMAGNETIC WAVE RESONANCES IN OVERSIZED SECTIONALIZED SLOW-WAVE STRUCTURES
Автор лучшего доклада предоставит свою работу на ежегодном конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 13 декабря 2019 г.

28 ноября 2019

ВНИМАНИЕ КОНКУРС!!!

Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН
объявляет конкурс среди молодых ученых
на лучший научный доклад на английском языке.

К участию в конкурсе приглашаются
сотрудники ИСЭ СО РАН до 35 лет.
Отведенное для доклада время - 10-12 мин,
время для ответов на вопросы - 3-5 мин.
Конкурс состоится 10 декабря 2019 г. в 10.00
в 408 к. ИСЭ СО РАН.

Заявки на участие в конкурсе присылать до 9 декабря 2019 г.
на e-mail: SDmA-70@loi.hcei.tsc.ru
(в заявке необходимо указать название доклада, короткую аннотацию и Ф.И.О. докладчика полностью)

Списки участников будут сформированы
и представлены не позднее 9 декабря 2019 г.

Автору лучшего доклада будет предоставлена возможность представить свой доклад на конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 13 декабря 2019 г.

29 октября 2019

Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:
1. заведующего лабораторией оптических излучений (0,2 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
2. ведущего научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
3. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
4. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
5. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории низкотемпературной плазмы с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
6. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории высокочастотной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
7. ведущего научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории газовых лазеров с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
8. старшего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории вакуумной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
9. научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
10. научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
11. научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории прикладной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
12. научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории прикладной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.
Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий http://ученые-исследователи.рф: 13 декабря 2019 г.

Дата проведения конкурса: 27 декабря 2019 г., место проведения: город Томск.

Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:
1. младшего научного сотрудника (0,45 ставки) в лаборатории теоретической физики;
2. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники;
3. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории низкотемпературной плазмы;
4. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории вакуумной электроники;
5. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в отделе высоких плотностей энергии;
6. младшего научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории высокочастотной электроники.
Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов – 13 декабря 2019 г.

Дата проведения конкурса 27 декабря 2019 г., место проведения город Томск.

22 октября 2019

24 сентября 2019

Департамент по развитию инновационной и предпринимательской деятельности Томской области организует региональную акселерационную программу «Большая разведка. Томск» с целью выявления перспективных инновационных идей и технологических разработок, ускорения развития инновационных проектов, вовлечения молодежи в технологическое предпринимательство (https://razvedka-tomsk.ru/).
Участие команд инновационных проектов в мероприятии позволяет им выстроить траекторию развития своих стартапов, пройти обучение технологическому предпринимательству, совместно с трекерами протестировать гипотезы, анализировать рынок и привлечь инвестиции, подготовить заявки на программы "УМНИК" и "СТАРТ", представить проекты потенциальным инвесторам и заказчикам.
Перечень отраслевых направлений и программа Акселератора представлены в презентации.
Прием заявок до 5 октября 2019 г. на сайте https://razvedka-tomsk.ru/.
ПРЕЗЕНТАЦИЯ
РЕЛИЗ

2 июля 2019

ПОЗДРАВЛЯЕМ!

Совет молодых учёных и специалистов ИСЭ СО РАН поздравляет младшего научного сотрудника Лаборатории плзаменной эмиссионной электроники

МОСКВИНА Павла Владимировича,

ставшего Победителем в конкурсе 2019-2021 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам.
1 июля 2019

Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных сотрудников, старших научных сотрудников, ведущих научных сотрудников, заведующих лабораториями.
Подведены итоги конкурса на замещение должности инженера-исследователя.
11 июня 2019

Приглашение участвовать в специальном выпуске журнала
Surface Alloying and Cladding
30 апреля 2019

Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

30 апреля 2019

Объявлен конкурс на замещение должности научного работника:

29 марта 2019

НОВОСТИ СМУиС

Вниманию молодых ученых и аспирантов ИСЭ СО РАН!!!

Объявлен конкурс на получение стипендии Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики (Конкурс на 2019-2021 гг.).

Конкурсная документация .

26 марта 2019

ПОЗДРАВЛЯЕМ

ведущего научного сотрудника
отдела импульсной техники
доктора технических наук

АЛЕКСАНДРА АНДРЕЕВИЧА КИМА

с присуждением
Премии имени Эрвина Маркса
(2019 Pulsed Power Erwin Marx Award)

за пионерские работы по исследованию и развитию LTD-технологии построения мощных ускорителей!

15 марта 2019

КОЛЛЕКТИВНЫЙ ДОГОВОР на 2019-2022 гг. (Проект)
1 марта 2019

Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных работников младший научный сотрудник; инженер-исследователь в научных подразделениях: лаборатория нелинейных электродинамических систем; лаборатория пучково-плазменной инженерии поверхности; лаборатория газовых лазеров; лаборатория оптических излучений; лаборатория высокочастотной электроники.
1 марта 2019

Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных работников старший научный сотрудник; научный сотрудник в научных подразделениях: лаборатория нелинейных электродинамических систем; лаборатория пучково-плазменной инженерии поверхности.
06 февраля 2019

Молодые ученые ИСЭ СО РАН приняли вызов ИФПМ СО РАН и поучаствовали в акции #ЛопниЛженауку, приуроченной к ежегодной Неделе науки Томской области.
В своем ролике молодые сотрудники ИСЭ опровергли несколько не соответствующих действительности фактов и бросили вызов ученым из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН, Объединенного института высоких температур РАН и Института электрофизики УрО РАН.

05 февраля 2019

The 14^th International Conference
Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2019)
will be held in Tomsk, Russia,
on September 15–21, 2019.

31 января 2019

Запланированные на 1-9 февраля мероприятия «Недели науки» в Томской области переносятся на 18-24 февраля.

Программа мероприятий
Научно-спортивное состязание "Научный биатлон"

23 января 2019

Департамент науки и высшего образования Администрации Томской области совместно с Советом молодых учёных Томской области при поддержке Томского профессорского собрания в период с 1 по 8 февраля 2019 года организует и проводит мероприятия, посвящённые Дню российской науки.

НОВОСТИ

27 марта 2017
Минимум на полгода страна лишилась академии наук