Наименование научной организации-разработчика
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН).
Установка ВЭИПС для исследования процессов фазообразования при синтезе покрытий
Полный набор рентгенограмм образца YAlO (покрытие)/ВК-8 (подложка) в процессе синтеза покрытия (справа), полученный с использованием синхротронного излучения
Краткая характеристика основных технических параметров
Технические характеристики вакуумной камеры
- Габаритные размеры вакуумной камеры (Д х Ш х В) 750 х 750 х 750 мм
- Внутренний диаметр вакуумной камеры – 450 мм, масса – 250 кг
- 6 фланцев для установки электрофизических устройств
- Предельное давление остаточного газа не выше 1·10-3 Па
- Охлаждение вакуумной камеры ‒ водяное, не более 0,5 м3/ч
- 6-ти координатный манипулятор системы позиционирования образцов
- Окна для ввода и вывода синхротронного излучения
Типы устанавливаемых функциональных устройств
- Оригинальные генераторы газовой плазмы
- Совершенные вакуумно-дуговые и магнетронные распылительные системы
- Источники электронных и ионных пучков с уникальными параметрами
- Другие новые электрофизические устройства для модификации поверхности
- Возможность сочетания вышеперечисленных устройств в едином вакуумном технологическом цикле
Область возможного применения
Исследования в области электронно-ионно-плазменного инжиниринга поверхности конструкционных и функциональных материалов, включая разработку многослойных, композиционных, градиентных и износостойких покрытий; определение механизмов синтеза заранее заданных структур поверхности.
Возможный технический и (или) экономический эффект от внедрения
Техническим результатом разработки является кратное (от нескольких лет до нескольких месяцев) снижение срока разработки и внедрения технологий модификации поверхности с требуемым комплексом свойств на поверхности конструкционных и инструментальных материалов, предназначенных, в том числе, для работы в экстремальных условиях.
Степень готовности разработки к практическому применению
Апробирована и используется с 2023 года в составе канала №6 источника СИ «ВЭПП-3» (ИЯФ СО РАН) для проведения поисковых и прикладных исследований в области создания новых электронно-ионно-плазменных технологий модификации поверхности.
Сравнительная характеристика с известными разработками
Не имеет аналогов в России. По количеству комбинированных методов электронно-ионно-плазменной инженерии поверхности, которые могут использоваться для модификации поверхности, опережает мировые аналоги. Позволяет существенно сокращать сроки разработки новых технологических процессов инженерии поверхности.
Сведения о патентоспособности и патентной защите разработки
Подготавливается заявка на патент на изобретение (до конца 2023 г.).
Оборудование разработано и создано при финансовой поддержке Российской Федерации в лице Министерства науки и высшего образования (проект № 075-15-2021-1348).
Сведения о руководителе работы и авторах
ДЕНИСОВ Владимир Викторович
Руководитель работ по созданию ВЭИПС
Заведующий лабораторией пучково-плазменной инженерии поверхности
кандидат технических наук
denisov@opee.hcei.tsc.ru
+8 913 807 2425
