Аспирантура


Государственная итоговая аттестация (ГИА)

Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2024
Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2023
Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2022
Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2021
Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2020
Приказ о ГЭК аспирантуры ИСЭ СО РАН и сроках ГИА 2019
Порядок Государственной итоговой аттестации аспирантов ИСЭ СО РАН

Рабочие программы ГИА

Рабочая программа ГИА - 03_06_01 - ООП_Физическая электроника
Рабочая программа ГИА - 03_06_01 - ООП_Оптика
Рабочая программа ГИА - 03_06_01 - ООП_Электрофизика, электрофизические установки
Рабочая программа ГИА - 11_06_01 - ООП_Вакуумная и плазменная электроника

Научные доклады

2024

Научный доклад В. В. Бармина
Научный доклад М. В. Савчука
Научный доклад С. А. Вагайцева

2023

Научный доклад С. Ю. Дорошкевича
Научный доклад А. А. Зуза
Научный доклад А. О. Коковина

2022

Научный доклад А. Д. Ленского

2021

Научный доклад И. А. Зятикова
Научный доклад В. С. Кузнецова
Научный доклад Е. В. Островерхова
Научный доклад Н. А. Прокопенко
Научный доклад Е. А. Сандабкина
Научный доклад В. А. Чазова

2020

Научный доклад В. А. Ванькевича
Научный доклад Л. А. Зюльковой
Научный доклад Д. Ю. Игнатова
Научный доклад Д. В. Молчанова
Научный доклад Э.С. Некрасова

2019


Научный доклад В.С. Касьянова
Научный доклад П.В. Припутнева
Научный доклад В.С. Рипенко

2018

Научный доклад Н.С. Семенюк
Научный доклад А.С. Гренадёрова
Научный доклад В.А. Панарина
Научный доклад И.В. Васениной
Образование

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru