КОКОВИН Александр Олегович


Динамика электрического пробоя в газах повышенного давления в условиях высокой пространственной неоднородности электрического поля

Общая информация

Научная специальность
1.3.13. "Электрофизика, электрофизические установки"
Тип диссертации
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Организация, в которой выполнена диссертация
Федеральное государственное бюджетное учреждении науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, город Томск
Диссертационный совет
24.1.115.01 (Д 003.031.02)

Сведения о диссертации

Дата размещения объявления
06.10.2023 г.
Дата защиты
15.12.2023 г.
Дата принятия к защите
05.10.2023 г.
Решение о принятии к защите
скачать (05.10.2023 г.)
Автореферат
скачать (06.10.2023 г.)
Текст диссертации
скачать (28.09.2023 г.)
Научный руководитель
Козырев Андрей Владимирович
доктор физико-математических наук  (ИСЭ СО РАН)
Отзыв (10.10.2023 г.)  Сведения
Официальные оппоненты
Пушкарев Александр Иванович, доктор физико–математических наук, профессор
Отделения материаловедения Инженерной школы новых производственных технологий ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет», гор. Томск.
Отзыв (28.11.2023 г.)  Сведения

Рагимханов Гаджимирза Балагланович, кандидат физико–математических наук, доцент кафедры общей физики, заместитель декана физического факультета по учебной работе
ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет», гор. Махачкала
Отзыв (28.11.2023 г.)  Сведения
Ведущая организация
Акционерное общество «Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований» (ГНЦ РФ ТРИНИТИ), гор. Москва
Отзыв (29.11.2023 г.)  Сведения
Отзывы на автореферат
Б.А. Тимеркаев, А.И. Сайфутдинов (06.12.2023 г.)
Ю.И. Мамонтов (07.12.2023 г.)
П.А. Бохан (08.12.2023 г.)
С.Л. Синицкий (12.12.2023 г.)
Результаты публичной защиты
Сведения о результатах публичной защиты диссертации (19.12.2023 г.)
Место проведения защиты
Институт сильноточной электроники СО РАН
634055, г. Томск-55, пр. Академический, 2/3. ИСЭ СО РАН
Телефон
(3822) 492-586
E-mail
Bagrova@DS.hcei.tsc.ru
Образование

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru