Научный семинар ИСЭ СО РАН


Научный семинар ИСЭ СО РАН
19 мая 2022 г., четверг, 16:00

Докладчик: Толбанов Олег Петрович, д.ф.-м.н., профессор, директор Центра исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" (НИ ТГУ)
Научный доклад: "Направления работы Центра исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"

Конференц-зал (2 этаж)

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru