к.ф.-м.н. А.Г. Русских1, А.С. Жигалин1, д.ф.-м.н. В.И. Орешкин1, к.ф.-м.н. А.В. Шишлов1, Р.К. Чердизов1, к.ф.-м.н. В.А. Кокшенев1, акад. РАН Н.А. Ратахин1, к.ф.-м.н. Д.Л. Шмелев2, к.ф.-м.н. Е.В. Орешкин3
1Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
2Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
3Физический институт имени П.А. Лебедева РАН, г. Москва
На установке ГИТ-12, при амплитуде тока до 3.5 МА и времени его нарастания около 1 мкс, проведены эксперименты с металло-плазменными лайнерами, целью которых являлись исследования стабилизации процесса сжатия по отношению к Рэлей-Тейлоровским неустойчивостям. Эксперименты показали, что, изменяя начальный профиль плотности вещества, можно эффективно управлять устойчивостью сжатия Z-пинчей. Стабильными, по отношению к Рэлей-Тейлоровским неустойчивостям, являются пинчи, в которых плотность вещества возрастает при приближении к оси быстрее, чем ~ R-2, где R – радиус пинча.
Рис. 1. Последовательные синхронизированные изображения сжатия однородного Z-пинча: Shot 2776 (a), Shot 2778 (b) и Shot 2779 (c, d), и Z-пинча с выемкой в распределении: Shot 2781 (e, f) и Shot 2782 (g, h) на финальной стадии имплозии. Время визуализации (t = 0 соответствует времени имплозии) указано в верхнем правом углу каждого изображения.
Результат получен в рамках Гранта РНФ №19-19-00127 «Исследование крупномасштабных неустойчивостей токонесущей плазмы».
1.3.4.1. Физика высокотемпературной плазмы и управляемый ядерный синтез.
Результат получен сотрудниками ОВПЭ и ОИТ совместно с Институтом электрофизики УрО РАН (г. Екатеринбург) и Физическим институтом имени П.А. Лебедева РАН (г. Москва) в 2021 г.