Планарный магнетрон с мишенью из чистого кристаллического бора для синтеза борсодержащих покрытий


Планарный магнетрон с мишенью из чистого кристаллического бора для нанесения покрытий как в непрерывном (DC), так и в импульсно-периодическом сильноточном режиме (HiPIMS). Устройство имеет ориги-нальную конструкцию и позволяет наносить пленки бора, а также осуществлять синтез борсодержащих покрытий в среде реактивных газов. Электрическое питание магнетрона обеспечивается стандартными источниками линейки APEL-M (ООО «Прикладная электроника»).

Технические характеристики

Размер мишени диаметр 50,8 мм, толщина 3-5 мм
Материал мишени кристаллический бор (99,9 ат.%)
Напряжение горения разряда 500-670 В
Мощность разряда до 200 Вт
Ток разряда в непрерывном режиме до 300 мА
Амплитуда тока в импульсном режиме до 40 А при длительности
импульса 150 мкс
Давление рабочего газа ~1 мТорр
Рабочий газ аргон, ксенон, азот и др.
Скорость нанесения покрытия чистого бора ~0,5 мкм/час
Шероховатость покрытия, Ra ~10 нм (Δ13-й класс)
Охлаждение магнетрона водяное

Контактная информация

Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3

Старший научный сотрудник
ШАНДРИКОВ Максим Валентинович
shandrikov@opee.hcei.tsc.ru
+8 3822 491776