Планарный магнетрон с мишенью из чистого кристаллического бора для нанесения покрытий как в непрерывном (DC), так и в импульсно-периодическом сильноточном режиме (HiPIMS). Устройство имеет ориги-нальную конструкцию и позволяет наносить пленки бора, а также осуществлять синтез борсодержащих покрытий в среде реактивных газов. Электрическое питание магнетрона обеспечивается стандартными источниками линейки APEL-M (ООО «Прикладная электроника»).
Технические характеристики
| Размер мишени | диаметр 50,8 мм, толщина 3-5 мм |
| Материал мишени | кристаллический бор (99,9 ат.%) |
| Напряжение горения разряда | 500-670 В |
| Мощность разряда | до 200 Вт |
| Ток разряда в непрерывном режиме | до 300 мА |
| Амплитуда тока в импульсном режиме | до 40 А при длительности импульса 150 мкс |
| Давление рабочего газа | ~1 мТорр |
| Рабочий газ | аргон, ксенон, азот и др. |
| Скорость нанесения покрытия чистого бора | ~0,5 мкм/час |
| Шероховатость покрытия, Ra | ~10 нм (Δ13-й класс) |
| Охлаждение магнетрона | водяное |
Контактная информация
Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3
Старший научный сотрудник
ШАНДРИКОВ Максим Валентинович
shandrikov@opee.hcei.tsc.ru
+8 3822 491776
