ТЕХНОЛОГИИ И РАЗРАБОТКИ ИНСТИТУТА
ОБОРУДОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИИ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ
И ГИДРОГЕНИЗАЦИИ ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АТОМАРНЫМ ВОДОРОДОМ
Назначение
Оборудование и технологии предназначены для выполнения очистки поверхности полупроводниковых структур от собственных оксидов, пылевых частиц и органических загрязнений, а также для гидрогенизации приповерхностной области полупроводниковых структур с целью улучшения их электрофизических характеристик. Технологии могут быть использованы при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также в научно-исследовательских работах.
Краткое описание и технико-экономические показатели
Сущность технологии очистки состоит в том, что в едином вакуумном цикле с процессами нанесения металлических, диэлектрических и других тонких плёнок или ионной имплантации с использованием оригинального источника атомарного водорода проводится "сухая" вакуумная очистка поверхности полупроводниковых структур от загрязнений.
Расположение разрядной ячейки источника
атомарного водорода в вакуумной камере
установки термического напыления
металлов УВН-71П-3
Преимущества данной технологии очистки перед другими "сухими" методами обусловлены высокой реакционной способностью атомов водорода и чисто химическим механизмом удаления загрязнений.
Использование предлагаемой технологии позволит изготавливать полупроводниковые приборы и интегральные схемы с повышенными характеристиками, повысить воспроизводимость технологических процессов, увеличить процент выхода годных приборов, улучшить экологию производства.
Сущность технологии гидрогенизации состоит в том, что в результате обработки в атомарном водороде происходит насыщение водородом приповерхностной области полупроводниковой структуры. В результате этого происходит подавление электрической активности мелких и глубоких уровней дефектов, пассивация точечных, линейных дефектов границ зерен и границ раздела. Использование данной технологии позволит целенаправленно управлять электрофизическими параметрами материала и, следовательно, изготавливать полупроводниковые приборы с заданными, повышенными параметрами.
Основные преимущества
В отличие от известных методов "мокрой" химической очистки предлагаемая технология является "сухим" процессом и легко объединяется в единый вакуумный цикл с последующими технологическими операциями. В отличие от известных методов "сухой" очистки, предлагаемая технология позволяет получить поверхность значительно более высокого качества при более низкой температуре обработки.
Гидрогенизация по своим возможностям целенаправленного регулирования свойств материала не имеет альтернатив.
Аналоги
Известны технологии очистки поверхности полупроводниковых подложек атомарным водородом, реализуемые в условиях сверхвысокого вакуума. Оригинальной особенностью предлагаемой технологии является то, что она предназначена для применения в широко используемом технологическом оборудовании со средним уровнем вакуума.
Источник атомарного водорода по совокупности своих технико-экономических показателей не имеет аналогов.
Защищенность разработки
Источник атомарного водорода является оригинальной разработкой, его устройство защищено патентом России № 2088056 "Генератор атомарного водорода". Имеются "ноу-хау" конструкцию источника и на технологические процессы.
Уровень разработки
Закончены научно-исследовательские и проводятся опытно-конструкторские работы, ведется работа по внедрению технологий в производство полупроводниковых приборов.
Предложения по сотрудничеству
Предлагаются следующие виды сотрудничества:
- совместная доработка разрабатываемой технологии и оборудования до промышленного уровня;
- продажа разработанного оборудования и технологии;
- проведение совместных научно-исследовательских работ в развитие предлагаемых технологий и оборудования.
КОРРЕСПОНДЕНЦИЯ
Проскуровский Дмитрий Ильич
заведующий лабораторией,
доктор физико-математических наук,
профессор
тел.: (3822) 49-27-09
факс: (3822) 49-24-10
E-mail: PDI@Lve.hcei.tsc.ru