СТРУКТУРА ИНСТИТУТА
ОТДЕЛ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭНЕРГИИ
Лаборатория высоких плотностей энергии была создана после приглашения в ИСЭ лауреата Ленинской премии Лучинского А.В., который возглавил и сформировал основные научные идеи нового подразделения. Ядро лаборатории составили молодые выпускники Томских вузов и группа сотрудников из Отдела физической электроники, в то время возглавляемого Г.А. Месяцем. В 1982, по предложению Г.А. Месяца, Ученым советом ИСЭ было принято решение об организации Отдела высоких плотностей энергии. Заведующим отделом был избран к.ф.-м.н. Лучинский А.В.. В разное время в состав отдела входили лаборатории, возглавляемые Ю.А.Котовым (ныне член-корр. РАН), А.П. Хузеевым (ныне заместитель директора ИСЭ СО РАН). С 1994 года заведующим отделом является д.ф.-м.н. Ратахин Н.А. В настоящее время в отделе работают 2 доктора наук, 7 кандидатов наук, 8 научных сотрудников.
Научные направления:
- Исследование наносекундных мегаамперных Z-пинчей, сильноточных релятивистских электронных диодов, плотной высокотемпературной плазмы.
- Разработка тераваттных, наносекундных низкоимпедансных генераторов, методов получения мегагаусных магнитных полей, интенсивных потоков мягкого, сверхжесткого рентгеновского и g-излучения.
Основные научные достижения
- Создана серия оригинальных наносекундных мегаамперных генераторов (СНОП-2, СНОП-3, СГМ, МИГ) с выходной мощностью от долей тераватта до нескольких тераватт.
- Исследованы основные процессы (динамика сжатия, неустойчивости и возможности их "подавления", излучательные характеристики, механизмы энергопоглощения и т.п.) в наносекундных Z-пинчах.
- Определены основные закономерности и продемонстрирована возможность получения с помощью Z-пинча мегагаусных магнитных полей и мягкого рентгеновского излучения (МРИ).
- Разработаны и совершенствуются адекватные эксперименту расчетные (МРГД) модели описывающие поведение токонесущей плотной излучающей высокотемпературной плазмы.
- Выявлены основные закономерности формирования эффективной генерации и реализованы практически в высоковольтных вакуумных диодах мощные электронные потоки в широком диапазоне параметров (t = 5-150 нс, U = (0,7-5) МВ, I = 0.1-1,5 МA) на различных площадях.
- Получены рекордные по ряду параметров (мощность, длительность) импульсы сверхжесткого рентгеновского ( hn = 20-100 кэв) и g-излучения для исследований по радиационной стойкости материалов.
За время существования ОВПЭ защищено 3 докторских диссертации, 9 кандидатских, получена 1 Государственная премия (в составе коллектива), опубликовано в соавторстве 1 монография, более 250 печатных работ.