СМИ О НАС

2022 г.

15 июля 2022 С рабочим визитом Томский научный центр СО РАН посетил глава региона	4 июля 2022 Восемь проектов молодых ученых из институтов ТНЦ СО РАН получили поддержку РНФ
21 июня 2022 Томские ученые разработали малогабаритные лазеры для спектроскопии	20 июня 2022 Томские ученые разработали уникальные малогабаритные лазеры для спектроскопических исследований
22 мая 2022 Пионеры СО РАН 21 века	20 мая 2022 Эффективный формат научного общения
18 мая 2022 ИСЭ СО РАН стал экспортером года в Томской области	19 апреля 2022 Детский День космонавтики в Доме ученых. Андрей Козырев «Наше место во Вселенной»
14 апреля 2022 РНФ выделит ученым Томска 35 грантов на фундаментальные и поисковые исследования	21 марта 2022 Актуальные исследования сибирских ученых
10 марта 2022 Как электромагнитное излучение влияет на организм?	07 марта 2022 Увидеть науку во всем многообразии
20 февраля 2022 Томский госуниверситет создаст программы обучения для работников новосибирского синхротрона СКИФ	20 февраля 2022 Ученые ТНЦ СО РАН разработали алмазный лазер для квантовых технологий
20 февраля 2022 Коллектив обнинских ученых получил премию имени Тимофеева-Ресовского	20 февраля 2022 В ТПУ пройдет школа молодых ученых по использованию синхротронного и нейтронного излучения
20 февраля 2022 Источники мощных электромагнитных импульсов в природе и лаборатории	18 февраля 2022 Российские и китайские ученые продвинутся в изучении плазмы (стр. 173)
8 февраля 2022 В России создали лазер на основе точечного дефекта алмаза	8 февраля 2022 Алмазный лазер для квантовых технологий
8 февраля 2022 Сибирское отделение РАН полностью выполнило госзадание на 2021 год	7 февраля 2022 Алмазный лазер для квантовых технологий
7 февраля 2022 "Территория интеллекта". Алмазные решения в квантовых технологиях (стр. 12)	12 января 2022 Ток-шоу "Естественный отбор". Год Науки

2021 г.

16 декабря 2021 Российские и китайские ученые продвинутся в изучении плазмы	25 ноября 2021 Организации Томского научного центра СО РАН подписал хартию Большого университета Томска
21 ноября 2021 Увидеть науку во всем многообразии	17 ноября 2021 Институт сильноточной электроники СО РАН привлек федеральный грант
17 ноября 2021 Томский институт сильноточной электроники получил 300-миллионный грант	17 ноября 2021 Томский институт сильноточной электроники выиграл грант на 305 млн руб
17 ноября 2021 Сибирские ученые — «Росатому»	16 ноября 2021 Синхротронное излучение для технологий будущего
5 октября 2021 Секрет в кремнии: томский ученый усовершенствовал покрытие для сердечного имплантата	сентябрь 2021 ИСЭ СО РАН в каталоге "Инновации"

2021.11.20
Вышел свежий номер газеты «Академический проспект» Томского научного центра СО РАН

2021.11.18
Томские вузы и НИИ оформили Большой университет хартией

2021.11.17
Томский институт сильноточной электроники СО РАН получил грант в 305 млн рублей

2021.10.20
В Томске откроются шесть молодежных научных лабораторий

2021.10.20
В Томске откроются шесть молодежных научных лабораторий

2021.10.19
В рамках Форума U-NOVUS 2021 состоялась экспертная сессия по проработке проектов для презентации представителям вертикально-интегрированных компаний

2021.10.18
Шесть молодежных научных лабораторий откроют в Томске

2021.10.18
В Томске откроются шесть молодежных научных лабораторий

2019.10.14
Как укрепить поверхность

2021.09.30
Итоги конкурса на реализацию отдельных мероприятий Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019-2027 годы

2021.09.22
Ученые Томска и Милана помогут защитить сплавы автопрома от коррозии

2021.09.21
Как победить коррозию в магниевых сплавах?

2021.09.15
Томские и итальянские ученые побеждают коррозию в магниевых сплавах

2021.08.31
ТГУ займется созданием материалов будущего

2021.08.27
ТГУ вошел в международный консорциум по созданию материалов будущего

2021.08.12
Достичь цели одним импульсом

2021.08.12
Достичь цели одним импульсом

2021.08.12
Сибирские ученые управляют электронным пучком во время его импульса

2021.07.08
Министр науки и высшего образования РФ Валерий Фальков посетил Томский Академгородок 2021.07.08
Министр науки и высшего образования РФ Валерий Фальков посетил институты Томского научного центра СО РАН

2021.07.08
Министр науки и высшего образования РФ Валерий Фальков посетил институты Томского научного центра СО РАН

2021.07.08
Минобрнауки России опубликовало список заявок, допущенных к конкурсу в рамках Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019 - 2027 годы

2021.07.07
Летающая лаборатория, лазеры и нанотехнологии

2021.07.07
Валерий Фальков посетил Томский Академгородок

2021.05.31
«На острие науки»: расписание научно-популярных лекций на май

2021.05.26
Региональная наука внесёт вклад в укрепление обороны страны

2019.05.17
Развитие науки в Томске связано с мощной вузовской базой

2021.05.11
Академик Г.А. Месяц награжден Орденом Александра Невского

2021.04.23
Ученые синтезировали сплав с троекратным запасом износостойкости

2021.04.19
Томскими учеными синтезирован NiAl сплав с троекратным запасом износостойкости

2021.04.16
Томские ученые синтезировали сплав с троекратным запасом износостойкости

2021.04.15
ТНЦ СО РАН и ИСЭ СО РАН вошли в состав Консорциума «Технологическая водородная долина»

2021.02.28
День рождения академика Г.А.Месяца

2021.02.17
В Томской области в 2020 году запущены новые промышленные производства

2021.02.16
День российской науки — 2021

2020.02.05
В Томске создали рекордно яркий лазер видимого диапазона

2021.02.03
Программа мероприятий, посвященных Дню российской науки

2021.01.13
Сотрудники ТГУ из лаборатории химических технологий совместно с коллегами из ИСЭ СО РАН создали новое защитное покрытие для электроники.

2021.01.12
Топ-30 разработок сибирских учёных в 2020 году

2021.01.10
Ученые предложили использовать для борьбы с COVID-19 эксимерные лампы

2020 г.

24 декабря 2020 Семьдесят лет академику Ратахину	10 декабря 2020 В ИСЭ СО РАН избран новый директор
19 апреля 2020 Томскими учеными синтезирован NiAl сплав с троекратным запасом износостойкости