RU | EN
  • ИСТОРИЯ
  • НАПРАВЛЕНИЯ
  • СТРУКТУРА
  • СМУиС
  • ТЕХНОЛОГИИ
  • УНУ
  • ДОСТИЖЕНИЯ
  • ПУБЛИКАЦИИ
  • ИНТЕГРАЦИЯ С ВУЗАМИ
  • ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
  • ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИЙ
  • КОНФЕРЕНЦИИ
  • ПРЕМИИ / НАГРАДЫ
  • БИБЛИОТЕКА
  • ОТЧЕТЫ ПО ГОСКОНТРАКТАМ И СОГЛАШЕНИЯМ
  • ДОКУМЕНТЫ
  • КОНКУРСЫ / ВАКАНСИИ
  • ТЕЛЕФОНЫ
  • РЕКВИЗИТЫ
  • ПОЛЕЗНЫЕ ССЫЛКИ

СМИ о нас


СТРУКТУРА ИНСТИТУТА

ЛАБОРАТОРИЯ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Лаборатория вакуумной электроники (ЛВЭ) выделилась в самостоятельную лабораторию из Отдела физической электроники, руководимого академиком Г.А. Месяцем, в котором существовала до этого в качестве самостоятельной научной группы. Решение об организации лаборатории было принято Ученым советом ИСЭ СО АН СССР (протокол №12 от 29.12.1985 г.) по предложению Г.А. Месяца и утверждено приказом №2 по ИСЭ СО АН СССР от 02.01.1986 г. Заведующим лабораторией был избран д.ф.-м.н Д.И. Проскуровский. Он являлся завлабом до середины 2006 года. С июля 2006 завлабом ЛВЭ был избран к.ф.-м.н. А.В. Батраков. За время существования ЛВЭ защищено 14 кандидатских и 4 докторских диссертации, опубликовано 3 монографии (в соавторстве), получена 1 Госпремия (в составе коллектива) и три международные премии. Опубликовано около 300 работ в рецензируемых журналах и трудах научных конференций, получено более 20 авторских свидетельств и патентов на изобретения. В настоящее время в лаборатории работает 21 сотрудник, из них 4 докторов наук, 6 кандидатов наук, 1 аспирант, 5 младших научных сотрудников без степени, 4 инженера и 1 техник.

Научные направления

  • Исследование физики вакуумных разрядов, взрывной электронной эмиссии и методов подавления эмиссионной активности поверхности и повышения электрической прочности вакуумной изоляции.
  • Исследование и разработка методов генерации интенсивных потоков заряженных и нейтральных частиц и плазмы создание научно-технических основ для пучково-плазменных технологий.
  • Исследование воздействия концентрированных потоков энергии на конденсированное вещество

Основные научные достижения

В области физики вакуумных разрядов:

  • Обнаружено явление взрывной электронной эмиссии (в соавторстве).
  • Исследованы катодные процессы при взрывной электронной эмиссии на твердотельных и жидкометаллических катодах и их роль в развитии вакуумных разрядов.
  • Предложен и разработан метод повышения электрической прочности вакуумной изоляции обработкой поверхности электродов интенсивными импульсными электронными и ионными пучками.

В области генерации импульсных электронных пучков:

  • Предложен и разработан метод генерации низкоэнергетических сильноточных электронных пучков в пушках с плазменным анодом и взрывоэмиссионным катодом, помещенных во внешнее ведущее магнитное поле. На этой основе созданы не имеющие аналогов по совокупности параметров источники широкоапертурных импульсных электронных пучков для поверхностной обработки материалов.

В области исследований модификации металлических материалов интенсивными импульсными электронными пучками:

  • Разработаны научные основы модификации поверхностных слоев металлических материалов интенсивными импульсными электронными пучками. Предложены конкретные направления использования таких пучков в технологии.

В области исследований модификации полупроводниковых материалов пучками частиц:

  • Обнаружено и исследовано явление аномально ускоренного испарения примеси из ионно-легированных слоев кремния при быстром электронно-лучевом нагреве. Предложено использовать это явление для формирования сверхмелких p-n переходов в полупроводниковых структурах.
  • Предложен и разработан не имеющий аналогов по совокупности параметров источник атомарного водорода, предназначенный для обработки поверхностных слоев полупроводниковых структур в высоком вакууме.
  • Исследованы закономерности очистки полупроводниковых материалов потоком атомарного водорода от поверхностных загрязнений различного вида и показана перспективность использования для этих целей созданного источника. Показана также перспективность использования такого источника для гидрогенизации приповерхностной области полупроводниковых материалов с целью управления электрофизическими свойствами сформированных структур.